IBM phát triển transistor ống nano carbon tốt hơn silicon

Các nhà nghiên cứu đã được IBM tiến hành thực hiện thí nghiệm cho kết quả rằng các transistor ống nano carbon hoạt động rất tốt cho việc phát triển quy trình sản xuất mới. Các phát hiện này có thể mang lại lợi ích đáng kể trong việc theo đuổi phát triển bóng bán dẫn nhỏ hơn cho sức mạnh tính toán tốt hơn.

Các ống nano carbon là cấu trúc hình trụ rỗng làm bằng các nguyên tử carbon kết nối đã được chào hàng trong nhiều năm qua như là một vật liệu bán dẫn tiềm năng. Sản xuất ống nano carbon ở quy mô lớn là một trong những thách thức kĩ thuật phát triển các thiết bị tính toán. Trọng lượng nhẹ là một phần tạo ra cơ sở hạ tầng tốt cho ngành công nghiệp bóng bán dẫn silicon. Tuy nhiên, theo giáo sư John Rogers của bộ môn Khoa học Vật liệu tại Đại học Illinois ở Urbana thì các ống nano carbon có thể thu nhỏ đáng kể so với các tấm silicon.

Năm ngoái Intel đã bắt đầu sử dụng các bóng bán dẫn 3 chiều cho quá trình phát triển công nghệ 22 nm, một thiết kế được đưa ra để tạo ra một vi xử lí có điện áp tốt hơn cùng khả năng chống tiêu hao điện năng.

IBM đã phát hiện ra rằng dưới các transistor ống nano carbon dưới 10 nm có thể làm việc tốt hơn so với các tấm silicon cả về tốc độ lẫn sức mạnh. Điều đó có nghĩa là các ống nano carbon có khả năng đảm bảo tốt hơn trong quá trình nghiên cứu bóng bán dẫn, xây dựng vi xử lí.